東京工業大学大場研究室

M1の石井が日本金属学会2023年春期(第172回)講演大会でポスター発表をしました。

日本金属学会2023年春期(第172回)講演大会

ペロブスカイト酸化物の表面再構成とバンド位置の傾向に関する研究成果がChemistry of Materials誌に掲載されました。

Chemical trends of surface reconstruction and band positions of nonmetallic perovskite oxides from first principles

日本セラミックス協会第42回電子材料研究討論会（東工大でのハイブリッド開催）でM2の今井が口頭発表をしました。

非晶質SnO₂における酸素空孔の特異な原子・電子構造に関する研究成果がJournal of Physical Chemistry Cに掲載されました。

Unique atomic and electronic structures of oxygen vacancies in amorphous SnO₂ from first principles and informatics

国際会議Visual-JW 2022 & DEJI2MA-2（大阪開催）でM1の石井がポスター発表をしました。

層状化合物La₂CdO₂Se₂における点欠陥形成とキャリア生成・補償に関する研究成果がJournal of Materials Chemistry C誌に掲載されました。D3の我毛が筆頭著者です。

Defect formation and carrier compensation in layered oxychalcogenide La₂CdO₂Se₂: An insight from first principles

日本セラミックス協会第35回秋季シンポジウム（徳島大学でのハイブリッド開催）でD3の我毛が口頭発表をしました。

当研究室で博士の学位を取得した望月泰英氏（現 物質理工学院 材料系・助教）が8月3日～6日に開催された国際会議IUMRS-ICYRAM 2022で当研究室在籍当時の名大谷口研との共同研究の成果を発表し、ICYRAM2022 Young Researcher Silver Awardを受賞しました。

ICYRAM2022 Young Researcher Silver Award

国際会議IUMRS-ICYRAM2022（九州大学でのハイブリッド開催）でD3の角田がポスター発表をしました。

JSPS特別研究員PDとして在籍した清原が東北大学金属材料研究所熊谷研究室の助教として栄転しました。

Adaptive sampling手法による物質探索の効率化に関する研究成果がScience and Technology of Advanced Materials: Methods誌に掲載されました。

Adaptive sampling methods via machine learning for materials screening

当研究室で博士の学位を取得した望月泰英氏（現 物質理工学院 材料系・助教）が手島精一記念研究賞（博士論文賞、材料工学関係部門）を受賞しました。

令和3年度手島精一記念研究賞受賞者決定

研究室に新しいメンバーが加わりました。また、熊谷が東北大学金属材料研究所教授として栄転しました。当面は弊学特定教授として学生の指導を継続します。

日本金属学会2022年春期講演大会（オンライン開催）でD2の我毛、角田が口頭発表をしました。

酸化物中の酸素空孔のハイスループット第一原理計算と機械学習に関する研究成果がPhysical Review Materials誌に掲載されました。

Insights into oxygen vacancies from high-throughput first-principles calculations

酸化物中の水素不純物の格子間侵入サイトの理論予測に関する研究成果がComputational Materials Science誌にオンライン掲載されました。D2の角田が筆頭著者です。

Recommendation of interstitial hydrogen positions in metal oxides

国際会議MRM2021（パシフィコ横浜ノースでのハイブリッド開催）でD2の我毛、角田がポスター発表をしました。また、清原と熊谷が口頭発表をしました。(13日～16日)

新規窒化物半導体YZn₃N₃の理論予測と合成に関する研究成果がChemistry of Materials誌に掲載されました。執筆当時D3の菊地が筆頭著者です。

Theoretical prediction and thin-film growth of the defect-tolerant nitride semiconductor YZn₃N₃

p型透明酸化物半導体CuMO₂ (M=Al, Ga, In) の点欠陥の形成挙動と電子状態に関する研究成果がPhysical Review Materials誌に掲載されました。D2の我毛が筆頭著者です。

Point defects in p-type transparent conductive CuMO₂ (M = Al , Ga, In) from first principles

研究生の周さんが研究室のメンバーに加わりました。