東京工業大学大場・熊谷研究室
Design and exploration of electronic and energy materials
based on computational and data science
About大場・熊谷研究室について
東京工業大学科学技術創成研究院フロンティア材料研究所と物質理工学院材料系に所属する計算材料科学及びマテリアルズインフォマティクス分野の研究室です。最先端の第一原理計算によるコンピュータシミュレーションと機械学習を駆使して、次世代の電子・エネルギー材料の設計と探索を進めています。
Topicsトピックス
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学部生・大学院生募集! ― 物質理工学院 材料系 C群 (無機材料分野) ―
2020.05.02
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学生の研究成果発表が評価され、数々の受賞に
2020.05.01
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赤色発光する新しい窒化物半導体をコンピュータシミュレーションにより予測し、実験により実証 (Nature Communications 2016、日経産業新聞、化学工業日報、日刊工業新聞、産経新聞、毎日新聞 他)
2019.06.21
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窒化銅の新しいドーピング法をコンピュータシミュレーションにより予測し、高性能半導体を実現 (Advanced Materials 2018、日刊工業新聞、化学工業日報 他)
2018.06.19
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第一原理計算による半導体の設計と探索に関するレビュー論文を執筆 (Applied Physics Express 2018)
2018.05.29
Newsニュース
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2021.10.19論文
新規窒化物半導体YZn3N3の理論予測と合成に関する研究成果がChemistry of Materials誌に掲載されました。執筆当時D3の菊地が筆頭著者です。
Theoretical prediction and thin-film growth of the defect-tolerant nitride semiconductor YZn3N3
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2021.10.08論文
p型透明酸化物半導体CuMO2 (M=Al, Ga, In) の点欠陥の形成挙動と電子状態に関する研究成果がPhysical Review Materials誌に掲載されました。D2の我毛が筆頭著者です。
Point defects in p-type transparent conductive CuMO2 (M = Al , Ga, In) from first principles
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2021.09.30お知らせ
研究生の周さんが研究室のメンバーに加わりました。
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2021.07.06発表
国際会議STAC12（オンライン開催）でD2の我毛、角田がポスター発表をしました。（6〜8日）
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2021.04.07論文
新規窒化物半導体SrZn2N2の理論予測と合成に関する研究成果がChemistry of Materials誌に掲載されました。D3の菊地が筆頭著者です。
SrZn2N2 as a solar absorber: Theoretical defect chemistry and synthesis by metal alloy nitridation
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2021.04.01お知らせ
研究室に新しいメンバーが加わりました。
Publications研究業績
Publications-
原著論文
- Number of publications :
- 166
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国際会議プロシーディングス
- Number of publications :
- 040
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著書
- Number of publications :
- 005
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解説
- Number of publications :
- 029
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招待講演
- Number of Presentations :
- 073
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一般講演・ポスター発表
- Number of Presentations :
- 063
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受賞
- Number of Awards :
- 030
Openings学生・研究員募集
学部生・大学院生
学部生・大学院生を募集しております。スーパーコンピュータを使った最先端のシミュレーションと機械学習により材料の研究をしてみませんか？ 研究室の見学や教育・研究に関する質問を随時受け付けておりますので、興味をお持ちの方はお問い合わせください。
特任教員・研究員
特任教員・研究員の公募状況については、JREC-INをご覧ください。公募をしていなくても採用できる場合がありますので、当研究室に興味をお持ちの方は適宜お問い合わせください。日本学術振興会（JSPS）特別研究員としての受け入れを希望される方も、お問い合わせください。
JREC-IN