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2018.06.19
窒化銅の新しいドーピング法をコンピュータシミュレーションにより予測し、高性能半導体を実現 (Advanced Materials 2018、日刊工業新聞、化学工業日報 他)
希少元素を含まない半導体として着目されている窒化銅について、新たなp型ドーピング法をスーパーコンピュータを用いた第一原理計算により予測し、その結果に基づいて共同研究者が高移動度p型半導体を実現しました。
東工大の松崎特任助教、細野教授、NIMSの木本副拠点長、越谷研究員、上田主任研究員らとの共同研究の成果で、2018年6月にAdvanced Materials誌オンライン版に掲載されました。また、日刊工業新聞、化学工業日報、マイナビニュース、国立環境研究所ニュースなどで紹介されました。
関連リンク
- 論文: K. Matsuzaki, K. Harada, Y. Kumagai, S. Koshiya, K. Kimoto, S. Ueda, M. Sasase, A. Maeda, T. Susaki, M. Kitano, F. Oba, and H. Hosono,
"High‐mobility p‐type and n‐type copper nitride semiconductors by direct nitriding synthesis and in silico doping design",
Advanced Materials 30, 1801968 (2018). - プレスリリース: ありふれた元素で高性能な窒化物半導体を開発 ― 安価な薄膜太陽電池開発につながる可能性