解説 | Publications | 大場研究室 | 東京工業大学科学技術創成研究院

Publications研究業績

当研究室は2015年4月に開設されました。以下は大場がこれまでに在籍した東京工業大学以外の教育・研究機関での業績を含みます。
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大場史康

Category: 解説

解説

Number of publications :: 031

01

大場史康,
「第一原理計算と機械学習による無機材料の設計・探索」,

日本MRSニュース 35, 4-6 (2023).
02

菊地諒介, 熊谷悠, 大場史康,
「第一原理計算によるdefect-tolerantな光電変換材料の探索」,

セラミックス 56, 686-689 (2021).
03

大場史康, 高橋亮, 熊谷悠,
「第一原理計算による無機材料の特性予測とデータ駆動型材料探索」,

セラミックス 54, 477-480 (2019).
04

大場史康,
「第一原理計算による半導体の系統的物性予測とin silicoスクリーニング」,

日本化学会情報化学部会誌 36, 5-8 (2018).
05

熊谷悠, 大場史康,
「半導体材料探索に向けた計算材料データベースの開発」,

化学工業 69, 18-26 (2018).
06

熊谷悠, 大場史康,
「半導体材料探索に向けた計算データベースの開発」,

固体物理 52, 725-732 (2017).
07

大場史康, 日沼洋陽, 熊谷悠,
「第一原理計算による半導体の物性予測と物質探索」,

まてりあ 56, 554-559 (2017).
08

大場史康, 平松秀典,
「新しい赤色発光窒化物半導体の実現」,

現代化学 550, 41-43 (2017).
09

石川亮, 柴田直哉, 幾原雄一, 大場史康, Scott D. Findlay, 谷口尚, 田中功,
「立方晶窒化ホウ素中に形成された複合点欠陥」,

まてりあ 55, 609 (2016).
10

大場史康, 熊谷悠, 日沼洋陽,
「先進計算科学による半導体物性の高精度予測と新物質探索」,

工業材料 64, 30-34 (2016).
11

大場史康, 日沼洋陽, 熊谷悠,
「半導体の基礎物性・格子欠陥特性の高精度理論予測と物質・材料探索への展開」,

セラミックス 50, 542-545 (2015).
12

石川亮, 柴田直哉, 大場史康, 谷口尚, Scott D. Findlay, 田中功, 幾原雄一,
「希土類添加cBN 結晶中に形成された複合点欠陥の局所構造解析」,

ニューダイヤモンド 112, 13-15 (2014).
13

大場史康,
「酸化物・窒化物半導体における点欠陥の電子構造と機能 ― 第一原理計算による新しい理解」,

まてりあ 52, 350-356 (2013).
14

F. Oba,
“First-principles approaches to defect energetics in ZnO: A review”,

Zinc oxide, the future material for electronics: A comprehensive review on ZnO physics and defects (Research Signpost, Trivandrum), Chapter 1, 1-23 (2011).
15

大場史康,
「第一原理計算による点欠陥の特性、ドーピングの予測」,

応用物理学会第41回薄膜・表面物理基礎講座「実験補完ツールとしての材料シミュレーション入門」, 70-79 (2012).
16

世古敦人, 大場史康, 熊谷悠, 田中功,
「第一原理熱力学計算によるセラミックス材料の相平衡」,

セラミックス 47, 494-499 (2012).
17

田中功, 世古敦人, 大場史康, 東後篤史,
「高精度第一原理計算に基づいたマテリアルズ・インフォマティクスの展開」,

工業材料 60, 23-26 (2012).
18

大場史康,
「酸化物半導体における点欠陥の電子構造と機能－第一原理計算によるアプローチ」,

セラミックス 46, 490-494 (2011).
19

田中功, 世古敦人, 東後篤史, 大場史康, 松永克志,
「第一原理計算に基づくセラミックスのナノ構造解析と設計指針：酸化スズを例に」,

セラミックス 44, 679-683 (2009).
20

田中功, 世古敦人, 弓削是貴, 小山幸典, 大場史康, 松永克志,
「第一原理熱力学によるナノ機能元素の理論計算」,

まてりあ 48, 299-302 (2009).
21

谷口尚, 渡邊賢司, 中山敦子, 大場史康, 田中功,
「超高圧プロセスによる反応性溶媒を用いた機能性III族窒化物結晶の創製」,

まてりあ 48, 311-316 (2009).
22

柴田直哉, 幾原雄一, 大場史康, 山本剛久,
「ジルコニアΣ9粒界の周期ユニット構造」,

まてりあ 45, 842 (2006).
23

大場史康,
「原子・電子レベルで見た酸化物界面の構造」,

まてりあ 44, 687-690 (2005).
24

佐藤幸生, 大場史康, 淀川正忠, 山本剛久, 幾原雄一,
「ZnOにおける不純物偏析および電気特性の粒界依存性」,

まてりあ 44, 965 (2005).
25

大場史康, 太田裕道, 細野秀雄, 佐藤幸生, 山本剛久, 幾原雄一,
「ZnO中の傾角粒界の原子構造」,

まてりあ 43, 985 (2004).
26

山本剛久, 大場史康, 幾原雄一, 佐久間健人,
「電子セラミックスの粒界構造と電気的特性」,

セラミックス 37, 435-440 (2002).
27

田中功, 大場史康, 森分博紀, 足立裕彦,
「局在量子構造探求のための理論計算」,

セラミックス 37, 423-429 (2002).
28

田中功, 大場史康, 吉矢真人, Wai-Yim Ching,
「新しいスピネル型窒化物の材料設計」,

マテリアルインテグレーション 6, 21-26 (2001).
29

田中功, 大場史康, 吉矢真人, 巽一厳, Wai-Yim Ching,
「新しいスピネル型立方晶窒化ケイ素」,

応用物理 70, 1442-1446 (2001).
30

大場史康,
「第一原理計算の手法－バンド計算法－」,

金属学会セミナーテキスト　パソコンで学ぶ材料工学, 21-31 (2001).
31

田中功, 大場史康, 足立裕彦,
「局在量子構造と材料機能－酸化亜鉛セラミックスについて－」,

まてりあ 39, 554-557 (2000).

Category: 解説

東京工業大学大場研究室

Publications研究業績

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解説

大場史康,
「第一原理計算と機械学習による無機材料の設計・探索」,

菊地諒介, 熊谷悠, 大場史康,
「第一原理計算によるdefect-tolerantな光電変換材料の探索」,

大場史康, 高橋亮, 熊谷悠,
「第一原理計算による無機材料の特性予測とデータ駆動型材料探索」,

大場史康,
「第一原理計算による半導体の系統的物性予測とin silicoスクリーニング」,

熊谷悠, 大場史康,
「半導体材料探索に向けた計算材料データベースの開発」,

熊谷悠, 大場史康,
「半導体材料探索に向けた計算データベースの開発」,

大場史康, 日沼洋陽, 熊谷悠,
「第一原理計算による半導体の物性予測と物質探索」,

大場史康, 平松秀典,
「新しい赤色発光窒化物半導体の実現」,

石川亮, 柴田直哉, 幾原雄一, 大場史康, Scott D. Findlay, 谷口尚, 田中功,
「立方晶窒化ホウ素中に形成された複合点欠陥」,

大場史康, 熊谷悠, 日沼洋陽,
「先進計算科学による半導体物性の高精度予測と新物質探索」,

大場史康, 日沼洋陽, 熊谷悠,
「半導体の基礎物性・格子欠陥特性の高精度理論予測と物質・材料探索への展開」,

石川亮, 柴田直哉, 大場史康, 谷口尚, Scott D. Findlay, 田中功, 幾原雄一,
「希土類添加cBN 結晶中に形成された複合点欠陥の局所構造解析」,

大場史康,
「酸化物・窒化物半導体における点欠陥の電子構造と機能 ― 第一原理計算による新しい理解」,

F. Oba,
“First-principles approaches to defect energetics in ZnO: A review”,

大場史康,
「第一原理計算による点欠陥の特性、ドーピングの予測」,

世古敦人, 大場史康, 熊谷悠, 田中功,
「第一原理熱力学計算によるセラミックス材料の相平衡」,

田中功, 世古敦人, 大場史康, 東後篤史,
「高精度第一原理計算に基づいたマテリアルズ・インフォマティクスの展開」,

大場史康,
「酸化物半導体における点欠陥の電子構造と機能－第一原理計算によるアプローチ」,

田中功, 世古敦人, 東後篤史, 大場史康, 松永克志,
「第一原理計算に基づくセラミックスのナノ構造解析と設計指針：酸化スズを例に」,

田中功, 世古敦人, 弓削是貴, 小山幸典, 大場史康, 松永克志,
「第一原理熱力学によるナノ機能元素の理論計算」,

谷口尚, 渡邊賢司, 中山敦子, 大場史康, 田中功,
「超高圧プロセスによる反応性溶媒を用いた機能性III族窒化物結晶の創製」,

柴田直哉, 幾原雄一, 大場史康, 山本剛久,
「ジルコニアΣ9粒界の周期ユニット構造」,

大場史康,
「原子・電子レベルで見た酸化物界面の構造」,

佐藤幸生, 大場史康, 淀川正忠, 山本剛久, 幾原雄一,
「ZnOにおける不純物偏析および電気特性の粒界依存性」,

大場史康, 太田裕道, 細野秀雄, 佐藤幸生, 山本剛久, 幾原雄一,
「ZnO中の傾角粒界の原子構造」,

山本剛久, 大場史康, 幾原雄一, 佐久間健人,
「電子セラミックスの粒界構造と電気的特性」,

田中功, 大場史康, 森分博紀, 足立裕彦,
「局在量子構造探求のための理論計算」,

田中功, 大場史康, 吉矢真人, Wai-Yim Ching,
「新しいスピネル型窒化物の材料設計」,

田中功, 大場史康, 吉矢真人, 巽一厳, Wai-Yim Ching,
「新しいスピネル型立方晶窒化ケイ素」,

大場史康,
「第一原理計算の手法－バンド計算法－」,

田中功, 大場史康, 足立裕彦,
「局在量子構造と材料機能－酸化亜鉛セラミックスについて－」,

東京工業大学大場研究室

Publications研究業績

Google Scholar

解説

大場史康, 「第一原理計算と機械学習による無機材料の設計・探索」,

菊地諒介, 熊谷悠, 大場史康, 「第一原理計算によるdefect-tolerantな光電変換材料の探索」,

大場史康, 高橋亮, 熊谷悠, 「第一原理計算による無機材料の特性予測とデータ駆動型材料探索」,

大場史康, 「第一原理計算による半導体の系統的物性予測とin silicoスクリーニング」,

熊谷悠, 大場史康, 「半導体材料探索に向けた計算材料データベースの開発」,

熊谷悠, 大場史康, 「半導体材料探索に向けた計算データベースの開発」,

大場史康, 日沼洋陽, 熊谷悠, 「第一原理計算による半導体の物性予測と物質探索」,

大場史康, 平松秀典, 「新しい赤色発光窒化物半導体の実現」,

石川亮, 柴田直哉, 幾原雄一, 大場史康, Scott D. Findlay, 谷口尚, 田中功, 「立方晶窒化ホウ素中に形成された複合点欠陥」,

大場史康, 熊谷悠, 日沼洋陽, 「先進計算科学による半導体物性の高精度予測と新物質探索」,

大場史康, 日沼洋陽, 熊谷悠, 「半導体の基礎物性・格子欠陥特性の高精度理論予測と物質・材料探索への展開」,

石川亮, 柴田直哉, 大場史康, 谷口尚, Scott D. Findlay, 田中功, 幾原雄一, 「希土類添加cBN 結晶中に形成された複合点欠陥の局所構造解析」,

大場史康, 「酸化物・窒化物半導体における点欠陥の電子構造と機能 ― 第一原理計算による新しい理解」,

F. Oba, “First-principles approaches to defect energetics in ZnO: A review”,

大場史康, 「第一原理計算による点欠陥の特性、ドーピングの予測」,

世古敦人, 大場史康, 熊谷悠, 田中功, 「第一原理熱力学計算によるセラミックス材料の相平衡」,

田中功, 世古敦人, 大場史康, 東後篤史, 「高精度第一原理計算に基づいたマテリアルズ・インフォマティクスの展開」,

大場史康, 「酸化物半導体における点欠陥の電子構造と機能 － 第一原理計算によるアプローチ」,

田中功, 世古敦人, 東後篤史, 大場史康, 松永克志, 「第一原理計算に基づくセラミックスのナノ構造解析と設計指針：酸化スズを例に」,

田中功, 世古敦人, 弓削是貴, 小山幸典, 大場史康, 松永克志, 「第一原理熱力学によるナノ機能元素の理論計算」,

谷口 尚, 渡邊賢司, 中山敦子, 大場史康, 田中功, 「超高圧プロセスによる反応性溶媒を用いた機能性III族窒化物結晶の創製」,

柴田直哉, 幾原雄一, 大場史康, 山本剛久, 「ジルコニアΣ9粒界の周期ユニット構造」,

大場史康, 「原子・電子レベルで見た酸化物界面の構造」,

佐藤幸生, 大場史康, 淀川正忠, 山本剛久, 幾原雄一, 「ZnOにおける不純物偏析および電気特性の粒界依存性」,

大場史康, 太田裕道, 細野秀雄, 佐藤幸生, 山本剛久, 幾原雄一, 「ZnO中の傾角粒界の原子構造」,

山本剛久, 大場史康, 幾原雄一, 佐久間健人, 「電子セラミックスの粒界構造と電気的特性」,

田中功, 大場史康, 森分博紀, 足立裕彦, 「局在量子構造探求のための理論計算」,

田中功, 大場史康, 吉矢真人, Wai-Yim Ching, 「新しいスピネル型窒化物の材料設計」,

田中功, 大場史康, 吉矢真人, 巽 一厳, Wai-Yim Ching, 「新しいスピネル型立方晶窒化ケイ素」,

大場史康, 「第一原理計算の手法 －バンド計算法－」,

田中功, 大場史康, 足立裕彦, 「局在量子構造と材料機能 －酸化亜鉛セラミックスについて－」,

大場史康,
「第一原理計算と機械学習による無機材料の設計・探索」,

菊地諒介, 熊谷悠, 大場史康,
「第一原理計算によるdefect-tolerantな光電変換材料の探索」,

大場史康, 高橋亮, 熊谷悠,
「第一原理計算による無機材料の特性予測とデータ駆動型材料探索」,

大場史康,
「第一原理計算による半導体の系統的物性予測とin silicoスクリーニング」,

熊谷悠, 大場史康,
「半導体材料探索に向けた計算材料データベースの開発」,

熊谷悠, 大場史康,
「半導体材料探索に向けた計算データベースの開発」,

大場史康, 日沼洋陽, 熊谷悠,
「第一原理計算による半導体の物性予測と物質探索」,

大場史康, 平松秀典,
「新しい赤色発光窒化物半導体の実現」,

石川亮, 柴田直哉, 幾原雄一, 大場史康, Scott D. Findlay, 谷口尚, 田中功,
「立方晶窒化ホウ素中に形成された複合点欠陥」,

大場史康, 熊谷悠, 日沼洋陽,
「先進計算科学による半導体物性の高精度予測と新物質探索」,

大場史康, 日沼洋陽, 熊谷悠,
「半導体の基礎物性・格子欠陥特性の高精度理論予測と物質・材料探索への展開」,

石川亮, 柴田直哉, 大場史康, 谷口尚, Scott D. Findlay, 田中功, 幾原雄一,
「希土類添加cBN 結晶中に形成された複合点欠陥の局所構造解析」,

大場史康,
「酸化物・窒化物半導体における点欠陥の電子構造と機能 ― 第一原理計算による新しい理解」,

F. Oba,
“First-principles approaches to defect energetics in ZnO: A review”,

大場史康,
「第一原理計算による点欠陥の特性、ドーピングの予測」,

世古敦人, 大場史康, 熊谷悠, 田中功,
「第一原理熱力学計算によるセラミックス材料の相平衡」,

田中功, 世古敦人, 大場史康, 東後篤史,
「高精度第一原理計算に基づいたマテリアルズ・インフォマティクスの展開」,

大場史康,
「酸化物半導体における点欠陥の電子構造と機能－第一原理計算によるアプローチ」,

田中功, 世古敦人, 東後篤史, 大場史康, 松永克志,
「第一原理計算に基づくセラミックスのナノ構造解析と設計指針：酸化スズを例に」,

田中功, 世古敦人, 弓削是貴, 小山幸典, 大場史康, 松永克志,
「第一原理熱力学によるナノ機能元素の理論計算」,

谷口尚, 渡邊賢司, 中山敦子, 大場史康, 田中功,
「超高圧プロセスによる反応性溶媒を用いた機能性III族窒化物結晶の創製」,

柴田直哉, 幾原雄一, 大場史康, 山本剛久,
「ジルコニアΣ9粒界の周期ユニット構造」,

大場史康,
「原子・電子レベルで見た酸化物界面の構造」,

佐藤幸生, 大場史康, 淀川正忠, 山本剛久, 幾原雄一,
「ZnOにおける不純物偏析および電気特性の粒界依存性」,

大場史康, 太田裕道, 細野秀雄, 佐藤幸生, 山本剛久, 幾原雄一,
「ZnO中の傾角粒界の原子構造」,

山本剛久, 大場史康, 幾原雄一, 佐久間健人,
「電子セラミックスの粒界構造と電気的特性」,

田中功, 大場史康, 森分博紀, 足立裕彦,
「局在量子構造探求のための理論計算」,

田中功, 大場史康, 吉矢真人, Wai-Yim Ching,
「新しいスピネル型窒化物の材料設計」,

田中功, 大場史康, 吉矢真人, 巽一厳, Wai-Yim Ching,
「新しいスピネル型立方晶窒化ケイ素」,

大場史康,
「第一原理計算の手法－バンド計算法－」,

田中功, 大場史康, 足立裕彦,
「局在量子構造と材料機能－酸化亜鉛セラミックスについて－」,