東京工業大学大場研究室

Fumiyasu Oba,
"Computational design and exploration of nitride and oxide semiconductors",

高橋亮,
「ハイスループット計算技術と機械学習を⽤いた自律的材料探索」,

大場史康,
「第一原理計算による窒化物・酸化物半導体の設計と新材料開拓」,

大場史康,
「計算科学に立脚した窒化物･酸化物半導体の設計･探索」,

大場史康,
「第一原理計算による窒化物･酸化物半導体の設計と新材料開拓」,

大場史康,
「第一原理計算による無機材料の特性予測の現状と課題」,

大場史康,
「第一原理計算による窒化物･酸化物半導体の設計と探索」,

高橋亮,
「半導体・誘電体材料を対象とした計算材料データベースの開発と応用」,

F. Oba,
"Computational design and exploration of ternary zinc nitride semiconductors",

大場史康,
「窒化物・酸化物半導体の点欠陥特性の理論予測と材料設計・探索」,

大場史康,
「第一原理計算による無機材料特性の系統的予測とデータ駆動型新材料探索」,

大場史康,
「第一原理計算による半導体物性の系統的予測とデータ駆動型新物質探索」,

大場史康,
「ハイスループット第一原理計算による無機材料の設計・予測と新材料探索」,

望月泰英,
「第一原理格子動力学計算によるペロブスカイト物質の新規構造探索(Structural exploration of perovskites using first-principles lattice-dynamics calculations)」,

大場史康,
「ハイスループット第一原理計算による無機材料の設計・予測と新材料探索」,

大場史康,
「第一原理計算による半導体物性の系統的予測と新物質探索」,

大場史康,
「第一原理計算による窒化物・酸化物半導体の系統的物性予測とデータ駆動型新物質探索」,

大場史康,
「半導体物性の系統的理論予測とデータ駆動型新物質探索」（解説論文賞受賞記念講演 ）,

大場史康,
「第一原理計算による半導体物性の系統的予測とデータ駆動型新物質探索」,

大場史康,
「半導体物性の系統的理論予測とデータ駆動型新物質探索」,

F. Oba,
"Computational design and exploration of nitride semiconductors",

大場史康,
「マテリアルズインフォマティクスに立脚した新規半導体の開拓」,

大場史康,
「半導体物性の理論予測とデータ駆動型新物質探索」,

大場史康,
「半導体物性の理論予測とデータ駆動型新物質探索」,

大場史康,
「半導体物性の理論予測とデータ駆動型新物質探索」,

大場史康,
「第一原理計算による半導体物性の予測とデータ駆動型新物質探索」,

F. Oba,
"Design and exploration of novel semiconductors using first-principles calculations",

大場史康,
「第一原理計算による半導体物性の高精度予測と新物質探索」,

大場史康,
「マテリアルズ・インフォマティクスに基づく新規窒化物半導体の探索」,

大場史康,
「データ駆動型材料探索に立脚した新規半導体の開拓」,

大場史康,
「第一原理計算による半導体物性の高精度予測と新物質探索」,

大場史康,
「In silicoスクリーニングによる新規窒化物半導体の探索」,

F. Oba,
"In silico design and exploration of novel nitride semiconductors",

大場史康,
「第一原理計算による半導体物性の高精度予測と新物質探索」,

F. Oba,
"In silico design and exploration of novel semiconductors",

大場史康,
「第一原理計算と高圧合成による新規窒化物半導体の探索」,

Y. Kumagai,
"First-principles calculations on point defects in semiconductors",

F. Oba,
"In silico design and exploration of novel nitride semiconductors",

Y. Kumagai,
"Computational materials database toward discovering novel semiconductors",

大場史康,
「第一原理計算による半導体物性の高精度予測と新物質探索」,

大場史康,
「インシリコスクリーニングによる新規窒化物半導体の発見」,

大場史康,
「新しい窒化物半導体の発見 ― in silicoスクリーニングによる予測と実験による実証」,

F. Oba,
"In silico design and exploration of novel semiconductors",

大場史康,
「第一原理計算による半導体の物性・欠陥特性の高精度予測と新物質探索」,

熊谷悠,
"First-principles investigation of point defects in non-metallic materials",

大場史康,
「第一原理計算による半導体の物性予測と物質探索」,

大場史康,
「第一原理計算による半導体物性の高精度予測と新物質探索」,

大場史康,
「先進計算スクリーニングによる新規半導体の開拓」,

大場史康,
「最新の第一原理計算とその応用: I. 半導体の物性予測の基礎，II. 半導体材料の設計・探索への応用」,

大場史康,
「先端計算科学による半導体物性の高精度予測と新物質探索」,

大場史康,
「先進計算科学による半導体物性の高精度予測と新物質探索」,

F. Oba,
"Accurate predictions of defect properties in semiconductors: Towards understanding, screening, and discovery of materials",

大場史康,
「半導体の物性予測と物質探索 ― 先端計算科学からのアプローチ」,

F. Oba,
"Accurate predictions of defect properties in semiconductors: Towards understanding and screening of materials",

熊谷悠，大場史康,
「第一原理に基づく点欠陥計算の高精度化とその応用」,

Y. Kumagai,
"Predictions of point defect properties in semiconductors",

大場史康,
「半導体における格子欠陥特性の理論予測の高精度化と物質探索への展開」,

F. Oba,
"Accurate predictions of defect properties in semiconductors: Towards understanding and screening of materials",

F. Oba,
"Point defects in functional oxides and nitrides: Understanding and prediction toward full utilization of material functionalites",

F. Oba,
"Complex behavior of point defects in functional oxides and nitrides: Insights from first principles",

大場史康,
「TCOの理論計算」,

Y. Kumagai,
"Structural domain walls in polar hexagonal manganites",

F. Oba,
"Band alignment of zinc-blende and chalcopyrite semiconductors: Effects of misfit dislocations",

F. Oba,
"Point defects in oxide and nitride semiconductors: Understanding and prediction toward material screening",

大場史康,
「ワイドギャップ半導体における点欠陥 ― 計算科学からのアプローチ」,

F. Oba,
"Complex behavior of defects in oxide semiconductors: Insights from first-principles calculations",

大場史康,
「酸化物半導体における点欠陥の原子・電子構造と機能」,

F. Oba,
"Complex behavior of point defects in oxide and nitride semiconductors: Insights from density functional calculations”,

大場史康,
「第一原理計算による点欠陥の特性、ドーピングの予測」,

大場史康,
「酸化物・窒化物半導体における点欠陥の電子構造と機能」,

大場史康,
「酸化物半導体における点欠陥の電子構造と機能 ― 計算科学からのアプローチ」,

F. Oba,
"Native point defects in functional oxides: An approach from first principles",

F. Oba,
"Density functional approach to point defects in oxide semiconductors”,

F. Oba,
"Point defects in oxide semiconductors: A density functional approach",

F. Oba,
"Energetics and electronic structure of native defects and dopants in ZnO",

大場史康,
「酸化物半導体における点欠陥の原子・電子構造 － 第一原理計算によるアプローチ」,

大場史康,
「第一原理計算による酸化物半導体の点欠陥量子構造の設計」,

F. Oba,
"Point defects in oxide semiconductors: An approach from first principles",

大場史康,
「III族窒化物中のドーパントの配位環境と電子状態」,

F. Oba, H. Hayashi, R. Huang, H. Ikeno, S. Sonoda, and I. Tanaka,
"Room temperatre ferromagnetism in manganese-doped gallium oxide",

大場史康, 菅原義弘, 平山司, 長谷川勝哉, 和泉輝郎, 塩原融, 山本剛久, 幾原雄一,

「酸化物薄膜／バッファ層界面の原子構造とエネルギー」,

F. Oba, R. Liu, E. W. Bohannan, F. Ernst, and J. A. Switzer,
"Microstructure of interfaces made by epitaxial electrodeposition",

大場史康, 田中功, 足立裕彦,
「ZnO中の内因性点欠陥・不純物の形成エネルギーと電子状態」,

大場史康,
「第一原理計算の手法 ー バンド計算法」,